2018 파운드리 전략…삼성 초격차·SK 확장

'기술 개발·中 공장'…먹거리 사업으로 만든다

반도체ㆍ디스플레이입력 :2017/12/21 15:37    수정: 2017/12/21 15:37

글로벌 메모리반도체 강자 삼성전자와 SK하이닉스가 성장 가능성이 높은 파운드리(반도체 위탁생산) 경쟁력 제고에 몰두하고 있다.

올해 메모리와 달리 이 사업에선 두각을 나타내지 못한 양사는 내년에 각각 '초격차'와 '확장' 전략을 펼쳐 파운드리를 미래 먹거리로 삼겠다는 목표다.

삼성전자는 파운드리 기술 연구개발(R&D)과 생산 라인 확대에 초점을 맞춘 초격차 전략을 구사하고 있다. 사진은 삼성전자 10나노급 8기가비트(Gb) DDR4 D램. (사진=삼성전자)

■ 삼성, 파운드리 경쟁력 제고…"미세화 격차 벌리겠다"삼성전자는 파운드리 기술 연구개발(R&D)과 생산 라인 확대에 초점을 맞춘 초격차 전략을 구사하고 있다. 특히 자신있는 부분인 미세공정에서 기술 격차를 더 벌리겠다는 구상이다.

21일 업계에 따르면 삼성은 지난 18일부터 사흘간 기흥사업장에서 진행된 DS부문 전략회의에서 '경쟁 업체와의 기술 차이를 최대한 좁히지 않겠다'는 목표를 세운 것으로 알려졌다. '만년 1등'이었던 미국 인텔을 제치고 올해 반도체 글로벌 1위를 달성할 것으로 점쳐지는 삼성전자이지만, 시장 전망에 따라 안심할 수 없다는 것이다.

삼성전자 한 관계자는 "메모리반도체 호황에 힘입어 올해 좋은 실적을 거뒀으나 앞으로 상황이 어찌 변할 지 모른다는 위기감이 내부로부터 나온다"면서 "인텔 등을 비롯해 후발주자인 중국의 추격도 무시할 순 없는 상황"이라고 밝혔다.

삼성전자는 지난달 10나노 2세대 공정을 기반으로 한 8나노 파운드리 공정 기술을 개발했다. 내년엔 이보다 더 미세화된 7나노 공정 개발을 준비하고 있다.

이 회사는 지난해 말 업계 최초로 10나노 제품 공급을 시작했다. 이어 삼성전자는 지난달엔 10나노 2세대 공정을 기반으로 한 8나노 파운드리 공정도 개발했다. 최근 화성 7나노 전용 반도체 공장의 신규 건설이 승인됨에 따라 포트폴리오 강화에 박차를 가하는 모습이다.

이와 관련해 삼성전자는 지난해 말 10나노 1세대 제품 공급에 이어 2세대 제품을 양산하고 공급하고 있는 것으로 알려졌다. 이 회사는 20일 세계 최초의 10나노급 2세대 D램인 '10나노급 8기가비트(Gb) DDR4'의 양산하고 있다고 밝혀 또 다시 업계의 주목을 받았다.

■ 中으로 파운드리 포트폴리오 확장하는 SK하이닉스

SK하이닉스는 향후 중국 기업과 합작법인(조인트벤처)을 설립해 다양한 시스템반도체 분야로 사업을 확장한다는 계획이다. 사진은 SK하이닉스 중국 우시공장(C2) 라인 내부 조업 모습. (사진=SK하이닉스)

SK하이닉스의 경우 향후 중국 기업과 합작법인(조인트벤처)을 설립해 다양한 시스템반도체 분야로 사업을 확장한다는 계획이다.

21일 업계에 따르면 SK하이닉스는 20일 이사회를 통해 파운드리 자회사 SK하이닉스시스템아이씨(IC)에 7천만 달러(약 756억원)를 출자하기로 결정했다. 중국 기업과 SK하이닉스의 출자 비율은 50대 50으로, 총 투자 규모는 수천억 원 대인 것으로 알려졌다.

SK하이닉스는 향후 중국 기업과 현지 합작회사를 설립하고 중국 우시에 가동 중인 D램 공장에 파운드리 생산라인을 구축할 것으로 관측된다. 만약 이 건이 성사되면 생산공장은 내년 상반기에 완공돼 오는 2020년부터 제품 양산이 가능할 전망이다.

업계에 따르면 SK하이닉스는 내년부터 2021년까지 중국 충칭법인에 2억5천만달러(약 2천723억원)를 출자해 중국 충칭에 후공정 공장을 증설할 계획이다. 이는 반도체 제조의 막바지 단계인 후공정 물량 증가에 대응하기 위한 투자로 풀이된다.

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한편, 시장조사업체 IHS마킷은 지난해 569억 달러(약 61조9천억원) 였던 글로벌 파운드리 시장 규모가 오는 2022년 766억 달러(약 83조원)에 이를 것으로 내다봤다.

양사는 지난해 글로벌 파운드리 시장에서 각각 7.9%와 0.2%의 점유율을 기록해 1위인 대만 TSMC(50.6%)에 한참 뒤처져 있다고 IHS마킷은 분석했다.